سامسونگ در نمایشگاه «آینده حافظه و ذخیره‌سازی» (FMS) ۲۰۲۶ که در سانتا کلارای کالیفرنیا برگزار می‌شود، مجموعه گسترده‌ای از فناوری‌های نوین حافظه و ذخیره‌سازی را به نمایش گذاشته است. محور اصلی این رونمایی‌ها، محصولات و راهکارهایی است که برای پاسخ به نیاز روزافزون سیستم‌های هوش مصنوعی به پهنای باند و ظرفیت بالا طراحی شده‌اند.

نسل دهم BV-NAND؛ گامی تازه در حافظه‌های فلش

سیزده سال پس از معرفی نخستین فناوری V-NAND، سامسونگ به‌عنوان نخستین تولیدکننده، نسل دهم از حافظه‌های فلش BV-NAND (Bonded V-NAND) را معرفی کرده است. این حافظه فلش بیش از ۴۰۰ لایه دارد و با بهره‌گیری از فناوری پیشرفته اتصال ویفر (wafer bonding)، سلول‌های حافظه را روی یکدیگر انباشته می‌کند.

نسل دهم این حافظه در مقایسه با نسل نهم، حدود ۵۸ درصد چگالی ذخیره‌سازی بیشتری ارائه می‌دهد. افزایش تعداد لایه‌ها همچنین عملکرد خواندن، نوشتن و ورودی/خروجی را بهبود می‌بخشد و بهره‌وری انرژی را نیز ارتقا می‌دهد.

نخستین رونمایی سامسونگ از حافظه فلش BV-NAND V10

zHBM؛ راهکار اختصاصی سامسونگ برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی

سامسونگ چند ماه پیش ارسال نمونه‌های HBM4E به مشتریان را آغاز کرده بود و در FMS از HBM5 نیز رونمایی کرد که استاندارد بزرگ بعدی در حوزه حافظه‌های پهن‌باند بالا (High Bandwidth Memory) محسوب می‌شود. اما این شرکت راهکار اختصاصی دیگری به نام zHBM نیز معرفی کرده است که طبق ادعای سامسونگ حدود هشت برابر عملکرد HBM5 را ارائه می‌دهد.

فناوری zHBM نیز بر پایه تخصص سامسونگ در اتصال ویفر بنا شده و می‌تواند چگالی حافظه را تا ۱۰ برابر HBM5 افزایش دهد و بهره‌وری انرژی را سه برابر کند. طراحی zHBM به‌گونه‌ای است که به‌جای قرارگیری کنار شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی روی برد، مستقیماً روی خود شتاب‌دهنده انباشته می‌شود. این کار فاصله انتقال سیگنال‌های داده را به حداقل می‌رساند و همین عامل سرعت بالاتر و مصرف انرژی بهینه‌تر را ممکن می‌سازد.

zNAND-O و LPDDR5X-PIM؛ فناوری‌های مکمل

سامسونگ همچنین از zNAND-O رونمایی کرد؛ نسل بعدی حافظه‌های فلش مبتنی بر فناوری V-NAND که نسخه‌های چهار و هشت لایه آن در حال توسعه است. این حافظه فضای اشغال‌شده کمتری دارد، عملکرد ورودی/خروجی بهتری ارائه می‌دهد و در مقایسه با حافظه‌های NAND معمولی تأخیر کمتری دارد. zNAND-O برای هوش مصنوعی لبه‌ای (نزدیک به کاربر) طراحی شده و zHBM برای آموزش و استنتاج هوش مصنوعی در فضای ابری کاربرد دارد.

در کنار این‌ها، سامسونگ حافظه LPDDR5X-PIM را معرفی کرد که نخستین حافظه LPDDR با فناوری پردازش در حافظه (Processing-In-Memory) به‌شمار می‌رود. این فناوری بخشی از پردازش داده‌ها را پیش از ارسال نتیجه به پردازنده، درون خود حافظه انجام می‌دهد و بدین ترتیب پهنای باند و بهره‌وری انرژی را بهبود می‌بخشد.

کلیدواژه سخنرانی افتتاحیه؛ انقلاب هوش مصنوعی با نوآوری سه‌بعدی

سخنرانی افتتاحیه این رویداد با عنوان «هدایت موج انقلاب هوش مصنوعی؛ نوآوری‌های سه‌بعدی در معماری حافظه و ذخیره‌سازی» توسط جین-یوب لی، معاون اجرایی و رئیس بخش محصول و فناوری فلش، و کیونگریون کیم، معاون و رهبر پروژه تیم طراحی DRAM ارائه شد. در این سخنرانی، دیدگاه‌های سامسونگ درباره راه‌های بیشینه‌سازی عملکرد و بهره‌وری انرژی سیستم‌های هوش مصنوعی تشریح شد.